關(guān)于我們
939年，西門子公司的德國(guó)著名物理學(xué)家肖特基（Schottky）發(fā)表了“關(guān)于晶體整流器的空間電荷和表面層理論的量化解釋”，奠定了肖特基勢(shì)壘二極管的理論基礎(chǔ)。
1955年，西門子公司發(fā)明了三氯硅烷還原法制取高純多晶硅以及由此發(fā)展起來的區(qū)熔提純單晶硅，即著名的西門子法和后來的改良西門子法。區(qū)熔單晶硅法（FZ）仍然是現(xiàn)在功率半導(dǎo)體材料的主要生產(chǎn)方法。
1964年，西門子公司發(fā)明了螺栓型內(nèi)壓接式結(jié)構(gòu)制作硅電力半導(dǎo)體器件，又于1965年發(fā)明了平板式外壓接結(jié)構(gòu)，即平板式晶閘管、電力二極管結(jié)構(gòu)。
1973年，西門子首先采用中子嬗變摻雜單晶硅，使晶閘管（SCR）的性能指標(biāo)大幅度提高。
1980年，西門子在功率MOSFET方面推出SIPMOS專利，占有較大的全球市場(chǎng)份額。
1988年，西門子率先推出透明陽極新結(jié)構(gòu)NPT-IGBT，由于具有高可靠、低成本、類MOS特性，影響力大，西門子迅速確定了其IGBT國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化名稱。
1990年，西門子電力半導(dǎo)體部門（1949年成立）和德國(guó)AEG電力半導(dǎo)體部門（1947年成立），各占50%股份合并成立著名的EUPEC公司，專業(yè)生產(chǎn)大功率電力半導(dǎo)體器件。
1994年，EUPEC推出EconoPACKTM IGBT模塊系列，確立了現(xiàn)在EconoPACK（六單元），EconoPIM（整流橋+七單元）IGBT模塊封裝的標(biāo)準(zhǔn)。
1995年，EUPEC率先推出3300V IGBT高壓模塊（IHV）。
1996年，EUPEC推出全球第一個(gè)商業(yè)化的8000V光觸發(fā)晶閘管（LTT），目前仍然是全球唯一能提供商業(yè)化LTT的廠家。
1998年，西門子半導(dǎo)體突破了功率MOSFET的發(fā)展極限，推出了CoolMOSTM發(fā)明專利，高壓功率MOS其漂移區(qū)Rds(on)部分大幅度降低，英飛凌CoolMOS是高壓（≥500V）功率MOSFET發(fā)展史上的一個(gè)里程碑。
1998年，英飛凌同時(shí)推出溝槽柵的低壓（≤150V）功率MOSFET，即OptiMOSTM，大幅度降低了溝道部分的Rds(on)。Rds(on)低是英飛凌功率MOSFET的核心競(jìng)爭(zhēng)力。
1999年，EUPEC率先推出6500V IGBT模塊。
1999年，西門子半導(dǎo)體集團(tuán)獨(dú)立上市，形成英飛凌科技公司。
2000年，英飛凌推出溝槽柵+場(chǎng)終止技術(shù)，即Trench StopTM IGBT3芯片，它是當(dāng)今兩種先進(jìn)的IGBT芯片生產(chǎn)技術(shù)的杰出組合。
